集成Doherty设计，覆盖700M-5GHz应用频率，峰值功率6~12W； 自主28V LDMOS 工艺平台，全国产供应； 产品性能国际领先，已在国内外关键客户大规模量产。
峰值功率20W-4000W； 工作频率10MHz-6GHz； 基于自主知识产权的12V、28V、50V LDMOS 工艺平台开发，全国产供应； 封装材料自主开发设计，具有低成本、高可靠性。
峰值功率50W到700W； 工作频率最高支持6GHz； 第三代化合物半导体工艺，效率更高、工作带宽宽； 封装材料自主开发设计，具有低成本、高气密性、高热导率、高良率。
峰值功率最大支持20W； 工作频段频率覆盖10M-10GHz; 基于自主知识产权的5V，12V和28V工艺平台开发，全国产供应； 低成本、高性能的产品方案可应用于基站驱动、对讲机功放等终端设备。
650V，1200V 超级结技术，开关损耗低，芯片薄，工作频率高； 混封半/全电流SiC SBD，更高开关频率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 标准封装，TO-247-4L 封装开尔文
650V，1200V，1700V 接近于零的恢复损耗， 可实现高功率密度高效率； 采用MPS结构，具有优良的抗浪涌能力； 采用6''晶圆，交期6-8 周。
650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装； 采用6''晶圆，成本更优； 适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。
650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低杂散电感，设计灵 活，用于光伏和工业电 源市场； 三电平,半桥,PIM拓扑； 电流10A-1000A。
650V 750V IGBT 1200V SICMOS 针对新能源汽车客户的需求灵活订制不同的车规产品； 单管、半桥和三相桥拓扑；电流300A-900A。
提供射频核心器件，拥有国际领先的LDMOS 自主工艺和MMIC设计团队，帮助客户快速完成系统开发。
提供可靠高效优质的下一代功率半导体，缩短开发时间，同时实现超乎预期的功率密度和超低功率损耗，推动低碳发展。
提供高质量工业级半导体产品，令自动化设计尽可能简单、高效、可靠。推进新一代工厂和楼宇自动化、能源、医疗保健和运输系统。
针对关键的汽车电子系统，提供创新的汽车级半导体解决方案。华太已全面布局车规功率，车载芯片能力建设并陆续进入汽车尤其新能源汽车供应体系。
华太自主创新的LDMOS可实现低成本、高性能WiFi射频功放产品，助力大功率WiFi路由器实现突破。
基于LDMOS工艺，实现了高功率，高鲁棒性。华太2010年开始研究LDMOS工艺，同时引入全球顶尖芯片设计团队，实现了高功率、高可靠性射频解决方案。
650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低杂散电感，设计灵 活，用于光伏和工业电 源市场； 三电平,半桥,PIM拓扑； 电流10A-1000A。
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产品型号
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IF [A]
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VFmax [V]
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Topology
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Package
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| HP50R12K2 | 50 | 1200 | PIM | K2 |
| HP50R12K3 | 50 | 1200 | PIM | K3 |
| HP75R12K3 | 75 | 1200 | PIM | K3 |
| HF450R12D2 | 450 | 1200 | 半桥 | D2 |
| HF600R12D2 | 600 | 1200 | 半桥 | D2 |
| HF450R12D3 | 450 | 1200 | 半桥 | D3 |
| HF600R12D3 | 600 | 1200 | 半桥 | D3 |
| HF011S12W1 | 100 | 1200 | 半桥（SiC） | W1 |
| HF006S12W2 | 200 | 1200 | 半桥（SiC） | W2 |
| H3L150R07W2 | 150 | 650 | 三电平INPC | W2 |
| H3L100R07W2 | 100 | 650 | 三电平INPC | W2 |
