IGBT
650V，1200V 超级结技术，开关损耗低，芯片薄，工作频率高； 混封半/全电流SiC SBD，更高开关频率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 标准封装，TO-247-4L 封装开尔文结构效率更优。
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产品型号
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BV[V]
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IC @ 100°max [A]
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VCE(sat)[V]
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Eon[mJ]
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Eoff[mJ]
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td(on)[ns]
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tr[ns]
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td(off)[ns]
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tf[ns]
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Qg[nC]
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Package
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HKW40N120FHEA | 1200 | 40 | 1.67 | 2.3 | 1.4 | 89 | 61 | 344 | 139 | 307 | TO-247-3L |
| HKW40N120FHRA | 1200 | 40 | 1.65 | 1.55 | 1.4 | 90 | 60 | 362 | 100 | 306 | TO-247-3L |
| HKZ75N65SHRA | 650 | 75 | 1.66 | 0.42 | 0.85 | 23 | 28 | 128 | 100 | 100 | TO-247-4L |
| HKW75N65SHRA | 650 | 75 | 1.66 | 1.04 | 0.8 | 17 | 48 | 129 | 64 | 92 | TO-247-3L |
| HKZ75N65SHEA | 650 | 75 | 1.66 | 0.83 | 0.85 | 23 | 28 | 128 | 100 | 100 | TO-247-4L |
| HKW75N65SHEA | 650 | 75 | 1.66 | 1.44 | 0.8 | 14 | 22 | 145 | 71 | 92 | TO-247-3L |
| HKQ100N65FMTA | 650 | 100 | 1.46 | 0.34 | 1.9 | 17 | 12 | 103 | 133 | 340 | TO-247P-3L |
| HKW40N120FPTA | 1200 | 40 | 1.45 | 2.6 | 2.4 | 62 | 42 | 276 | 234 | 280 | TO-247-3L |
| HKW40N120FHEQ | 1200 | 40 | 1.67 | 2.48 | 1.31 | 75 | 44 | 320 | 90 | 307 | TO-247-3L |
